FBH mit aktuellen F&E-Ergebnissen auf den Photonics Days

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Am 8. und 9. Oktober 2025 präsentiert das Ferdinand-Braun-Institut,
Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) auf der Konferenz
aktuelle Forschungsergebnisse und ist mit einem Stand auf der begleitenden
Ausstellung in Berlin-Adlershof vertreten. Das FBH stellt zudem seine
Bildungsaktivitäten vor, die im Rahmen der nationalen Bildungsakademie zur
Fachkräftesicherung ‚Microtec Academy' umgesetzt werden. Darüber hinaus
beteiligt sich das FBH am Format ‚Working in Photonics‘.

Zwei Tage lang tauschen sich Expert*innen aus Forschung und Industrie in
Berlin-Adlershof zu aktuellen Trends in Lasertechnologie,
Heterointegration, Mikrosystemtechnik und weiteren Themen aus. Ein Fokus
liegt am 8. und 9. Oktober erneut auf den Quantentechnologien. Prof.  Tim
Schröder, Prof. Markus Krutzik und Dr. Sven Ramelow, die jeweils ein Joint
Lab des Ferdinand-Braun-Instituts mit der Humboldt-Universität zu Berlin
(HU Berlin) leiten, sind Chairs von vier Quantum Symposien (Q-Imaging,
Q-Communication, Q-Computing und Q-Sensing) – unterstützt von Dr. Tommaso
Pregnolato, der ebenfalls am FBH forscht, und Dr. Gregor Pieplow von der
HU Berlin. Ziel dieser Symposien ist es, einen Überblick über aktuelle
Trends und Entwicklungen zu geben sowie Verbindungen zwischen aktueller
Forschung und industrieller Verwertung herzustellen. Um
Quantentechnologien und Lasermodule speziell für Weltraumanwendungen geht
es auch bei einer Laborführung am FBH, die Teil des Rahmenprogramms ist.

UVC-LEDs für den medizinischen Bereich und die Gassensorik

Einen weiteren Schwerpunkt setzt das FBH in diesem Jahr bei UV-
Leuchtdioden (LEDs): Dr. Sven Einfeldt, Leiter des Joint Labs GaN
Optoelectronics am FBH ist einer der Chairs der Session ‚UV & X-Ray
Technologies & Applications‘. In diesem Rahmen wird Dr. Jan Ruschel
technologische Fortschritte bei UVC-LEDs präsentieren. Dem Institut ist es
gelungen, die Effizienz, Lebensdauer und Leistungsfähigkeit von LEDs, die
im Fern-UVC-Wellenlängenbereich unter 235 Nanometern (nm) abstrahlen,
signifikant zu steigern. Damit lassen sich neue Anwendungen im
medizinischen Bereich und in der Gassensorik erschließen. So können
beispielsweise schädliche Mikroorganismen und insbesondere multiresistente
Erreger (MRE) abgetötet werden, ohne dass sich Resistenzen entwickeln.
Aufgrund der hohen Absorption bei diesen Wellenlängen dringt das Licht nur
wenig in die lebenden Schichten der Haut ein und kann desinfizieren, ohne
dass Schäden auftreten, die stärker sind als bei normaler
Sonneneinwirkung.

Weitere Informationen zur Technologie und Anwendung gibt es in einer
Presseinformation aus dem Juli 2025.

Company Pitch: miniaturisiertes Fern-UVC-Diodenlasermodul für die
Desinfektion

UVC-Strahlung für den medizinischen Bereich steht auch im Fokus des
Projekts ‚UV-COLA‘, das Susann-Alice Seeger in ihrem Company Pitch
vorstellen wird. Dieser Spektralbereich lässt sich sowohl mit LEDs (siehe
oben) als auch mit Diodenlasern erschließen. Bei dem Ansatz, den das FBH
gemeinsam mit der TU Chemnitz verfolgt, liefern violett emittierende
Halbleiterlaser die Basis. In einer MOPA-Konfiguration wird brillante und
leistungsstarke Strahlung erzeugt und mithilfe eines nichtlinearen
Kristalls in den UVC-Spektralbereich frequenzverdoppelt. Gekoppelt in eine
dünne Faser könnte dann der Hals-Nasen-Rachenraum direkt desinfiziert
werden. Dieser gilt als wichtiger Rückzugsort für multiresistente Keime,
von wo aus sie sich weiterverbreiten oder zu schwerwiegenden Infektionen
führen können.

Galliumarsenid-basierte photonische Integration

Viele Anwendungen in der Quantenphysik, Spektroskopie oder Biosensorik
sind auf Laser anwiesen, die bei Wellenlängen von 630 nm bis 1180 nm
emittieren. Dieser Wellenlängenbereich ist mit dem Halbleitermaterial
Galliumarsenid (GaAs) adressierbar. In seinem Vortrag in der Session
‚Advances in hybrid PICs based on PolyBoard and SiN for communications,
sensing and quantum technologies Part II‘ spricht Dr. Jan-Philipp Koester
über die Integration von GaAs-Chiplets mittels Micro-Transfer-Printing auf
passive und verlustarme Siliziumnitrid-PICs (photonic integrated circuit –
PIC).

Am Stand stellt das FBH zudem eine monolithische, GaAs-basierte
photonisch-integrierte Wellenleiterplattform mit On-Chip-Verstärkung sowie
passiven, flach- und tiefgeätzten Wellenleitern vor. Sie bildet die
Grundlage für Ringresonator-gekoppelte Laser und eignet sich für den
Wellenlängenbereich von 950 nm bis 1180 nm.